Propriétés excitoniques dans les nanostructures de semiconducteurs

Etudes des états d’excitons dans les nanostructures à base des semiconducteurs sous l’action des champs extérieurs

Le travail que nous avons présenté dans ce manuscrit a eu pour but l’étude des propriétés excitoniques dans les nanostructures à base de boîtes quantiques de forme cylindrique en fonction des dimensions de la boîte et des champs extérieurs tels que la pression, la température et le champ électrique.

La quasi-particule étudiée est un exciton supposé confiner dans une boîte quantique de forme cylindrique à base de semiconducteur de type GaAs/Ga(1−x)Al(x)As, avec la prise en compte d’un nouveau système de confinement de nature asymétrique.

Tout au long de ce travail, le cadre d’approximations que nous avons adopté s’est basé sur la masse effective, la démarche variationnelle, et la notion de fonction enveloppe.

Les résultats obtenues montrent l’importance des effets ci-haut indiqués sur le comportement des excitons dans ce type de nanostructures.

Il est très souhaitable que ces résultats auraient à trouver un support d’expérimentation et d’exploitation à des fins technologiques, en vue de les enrichir d’abord et de leur donner la taille technologique qui est la leur ensuite.