Déposition de couche mince a-Si:H par procédé PECVD

65,90 €

62,60 € Économisez 5%

Simulation par la méthode de Monte Carlo, Calcul analytique des probabilités de la réactivité

Cet ouvrage est une étude sur la déposition de couche mince a-Si:H élaborée à partir d'un mélange (SiH4 + H2) par les procédés CVD assistés par plasma.

Pour la simulation numérique, nous avons utilisé la méthode de Monte Carlo.

Le modèle cinétique collisionnel choisi a permis d'étudier les phénomènes physico-chimiques et les propriétés collisionnelles dans le volume du réacteur et à la surface du substrat.

Pour calculer les probabilités de la réactivité des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept : la probabilité de réactivité sur un site (SRP).

Cette nouvelle probabilité calculée, permet de calculer analytiquement les probabilités de collage, de recombinaison et de réactivité à la surface.

A nos connaissances, c'est le premier modèle analytique qui calcul ces probabilités.

Pour des températures du gaz variant de 373 K à 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculée est 0,30 ± 0,08.

Cette valeur est la même que celle mesurée dans des travaux de Kessels et Hoefnagels.

Nous avons présenté aussi un traitement de l'aspect fluide en résolvant l'équation de diffusion.

Format : Papier

Papier
Numérique

Livraison dans le monde entier.
Frais d'envoi limités à 4,90 € pour la France métropolitaine quel que soit le nombre d'articles. Délai de livraison : 2 à 5 jours.
Pour les produits numériques, frais d'envoi offerts et accès immédiat.

Quantité

Disponible

Dr O.

BABAHANI, Docteur en Physique de l'Université de Ouargla, est enseignante et membre du Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS) à l'université de Ouargla.

Professeur F.

KHELFAOUI est Directeur du Laboratoire LRPPS.

Un intérêt commun est la déposition CVD et la physico-chimie des surfaces.

Fiche technique