Caractérisation de l'interface GaAlSb / OXYDE (SiO₂, MgO, Al₂O₃)
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Caractérisation de l'interface GaAlSb / OXYDE (SiO₂, MgO, Al₂O₃)

AZEDDINE RACHDY

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Ce livre présente une large étude sur les propriétés électriques des couches minces d’oxydes : SiO₂, Al₂O₃, MgO et de leurs alliages binaires déposés sur les antimoniures : GaSb dégénéré et Ga0, 96Al0, 04Sb.

Les oxydes sont fabriqués par coévaporation thermique réactive au canon à électron.

Les résultats de cette étude donnent : - Sur le GaSb dégénéré, des résistivités de l’ordre de 1014 cm et les conductions électriques alternative et continue en fonction de la température sont interprétées par des modèles similaires à ceux de Poole-Frenkel.

- Sur le Ga₁-XAlXSb de type n, on observe un déplacement du niveau de Fermi en fonction de la tension de grille et à partir des caractéristiques C(V) on déduit la concentration des impuretés dans le substrat.

La dispersion en fréquence de la capacité, très forte en accumulation, est due au blocage du niveau de Fermi.

Cette anomalie est attribuée à la présence d’une bande d’états d’interface accepteurs.

Format : Papier

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Azeddine RACHDY a obtenu son Doctorat en électronique à l'Université des Sciences et Techniques du Languedoc à Montpellier en France.

Il a intégré l'enseignement supérieure au sein du département de génie électrique à l’École Supérieure de Technologie Agadir (Maroc) ou il dirige des travaux de recherches sur les énergies renouvelables.


Fiche technique

Auteur
AZEDDINE RACHDY
Langue
Français
Éditeur
Éditions universitaires européennes
Année
2017
Pays
Maroc Maroc

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