La fiabilité des composants RF de puissance

Étude de la fiabilité des transistors RF LDMOS de puissance en mode pulsé pour des applications hyperfréquences

Les fortes exigences de fonctionnement ont augmenté la quantité de contraintes appliquées aux transistors qui constituent les modules de puissance dans les radars et ont un impact direct sur leurs temps de vie.

Une connaissance approfondie de cet impact est nécessaire pour une meilleure estimation de la fiabilité des modules.

C’est pour toutes ces raisons, qu’une étude a été engagée pour élaborer de nouvelles méthodes d’investigations de la fiabilité des composants RF de puissance en conditions de fonctionnement Radar pulsé.

Par conséquent, ce travail présente un banc dédié spécifiquement à des tests de vie sur des composants RF de puissance sous des conditions de pulse RF.

Un transistor RF LDMOS a été retenu pour nos premiers tests en vieillissement accélérés sous diverses conditions.

Des caractérisations électriques ont été effectuées.

Ainsi, un examen complet de ces paramètres électriques critiques est exposé et analysé.

Toutes les dérives des paramètres électriques après un vieillissement accéléré sont étudiées et discutées.

Pour comprendre les phénomènes physiques de dégradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel à une simulation physique 2-D (Silvaco).