Effet de l’illumination UV sur un transistor MOSFET à base de ZnO

Phototransistor à effet de champ en couches minces à base d’oxyde de zinc (ZnO)

L'objectif de ce livre est de modéliser les caractéristiques électriques du phototransistor à effet de champ à base d’oxyde de zinc (TEC-ZnO) dans l’obscurité et sous illumination UV.

Dans un premier temps, nous avons effectué une synthèse bibliographique générale sur les transistors à effet de champ ainsi que leurs principes de fonctionnement dans des différents régimes (régime linéaire et régime saturé).

Dans un deuxième temps, nous avons présenté en détaille des différents étapes de réalisation du transistor à effet de champ à base d’oxyde de zinc ainsi que leur caractéristiques couranttension à savoir les caractéristiques de sortie ID(VD) et de transfert ID(VG) dans l’obscurité (under dark).

Dans un troisième temps, et dans le but d’une bonne compréhension du fonctionnement du TEC-ZnO et améliorer les performances de ce composant pour qu’il puisse être utilisé dans de nombreuses applications technologiques (électroniques et optoélectronique) nous avons étudié les caractéristiques électriques lorsque la couche active est exposée à une illumination par la lumière UV, à l’aide d’une lampe de tungstène de puissance 500W.