Donneurs thermiques dans le silicium Czochralski
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Donneurs thermiques dans le silicium Czochralski

BESMA MOUMNI

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Le silicium de type Czochralski (Cz-Si) dopé au bore est caractérisé par une forte contamination en oxygène.

Il se forme, ainsi, au cours du refroidissement du lingot de silicium, une variété de défauts et des complexes d’oxygène actifs.

Dans ce livre, nous identifiant par spectroscopie infrarouge les différents complexes liées à l’oxygène interstitiel ainsi que leurs effets sur les propriétés électriques avant traitement thermique et après recuit sous atmosphère contrôlée d’azote, pour une gamme de température comprise entre 450 °C et 800 °C.

Nous testons, aussi, l’effet de l’histoire thermique sur la formation des complexes d’oxygène en adoptant le processus du recuit cumulatif multi-étapes.

Format : Papier

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Disponible

Besma Moumni est Docteur en Physique au CRTEn, TECHNOPÔLE DE BORJ CEDRIA.

Faculte Des Sciences de Tunis, UNIVERSITÉ DE TUNIS EL MANAR.

Abdelkader Ben Jaballah est Maitre-Assistant au CRTEn, TECHNOPÔLE DE BORJ CEDRIA.

Maitre-Assistant en Physique Faculté de Science et des Arts de Samtha, UNIVERSITÉ DE JAZAN, ARABIE SAOUDITE.


Fiche technique

Auteur
BESMA MOUMNI
Langue
Français
Éditeur
Éditions universitaires européennes
Année
2017
Pages
76
Pays
Tunisie Tunisie

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