Caractérisation des couches minces élaborées par PECVD et HWCVD
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Caractérisation des couches minces élaborées par PECVD et HWCVD


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Des couches minces de carbure de silicium amorphe hydrogéné sont élaborées par PECVD et HWCVD sur des substrats de verre et de silicium.

Les propriétés optiques nous ont permis d’estimer la largeur de la bande interdite.

Les caractérisations électriques ont montré la nature Schottky du contact et ont permis de déterminer l’énergie d’activation et la concentration des porteurs des structures obtenues avec ces couches.

Les paramètres caractéristiques d’une diode Schottky à barrière inhomogène ont été aussi déduits des mesures électriques.

Format : Papier

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R.Haythem étudiant chercheur, née en 1989 à Metouia-Tunisie.

Titulaire d'un master de recherche, obtenu en 2016.

Ces travaux de recherche ont été effectués au sien du Laboratoire de physique des matériaux et des nanomatériaux attaché à l'université de Gabes, Tunisie (FSG).


Fiche technique

Auteur
HAYTHEM ROMDHANE
Langue
Français
Éditeur
Éditions universitaires européennes
Année
2016
Pages
92
Pays
Tunisie Tunisie

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