Couches Minces Semiconductrices de Sb2S3, Ag2S et NiS

Structure, Optique et Mécanismes de Conduction Électrique en vue de leur application dans l'optoélectronique

Ce travail résume l’élaboration et l’étude des couches minces binaires sulfurées d'Ag2S de Sb2S3 et de NiS.

L'analyse par diffraction des rayons X montre que les couches élaborées sont polycristallines.

L’étude optique de ces couches révèle que le matériau Ag2S présente une transition directe avec une largeur de bande interdite de l’ordre de 2,34 eV et une transition indirecte avec un gap égal à 0,98 eV, tandis-que ceux de Sb2S3 et NiS présentent des transitions directes avec des énergies de bande interdite égales respectivement à 1,72 et 0,53 eV.

L’étude électrique des couches d'Ag2S de Sb2S3 et de NiS montre que la conduction dans le premier est ionique alors qu’elle est polaronique pour le second selon le modèle CBH et qu'elle est métallique pour la couche de NiS.

Par ailleurs, ce travail est annexé par une étude bibliographique sur les mécanismes de conduction électriques dans les solides.

Enfin, ces couches trouvent leur application dans des domaines de détection des gaz, de rayonnement et de conversion photovoltaïque.