Caractérisation du dispositif CdS/CdTe pour la détection des rayons X

Dépôt par bain chimique et électrodéposition pour la préparation de couches minces Capteur à rayons X CdS/CdTe

Les détecteurs de rayonnements ionisants dépendent principalement de matériaux fabriqués il y a plusieurs décennies.

Ils étaient fabriqués par des scintillateurs monocristallins de césium et d'iodure de sodium (CsI, NaI) ou des semi-conducteurs comme le silicium (Si), le germanium de haute pureté (HPGe) et des tubes remplis de gaz.

Cependant, les matériaux existants présentent certains inconvénients : le NaI(Tl) a une mauvaise résolution, le (Si) a une mauvaise efficacité, tandis que le (HPGe) exige un système de refroidissement et tous sont très coûteux.

Ces dernières années, un effort international a été investi dans le développement d'une gamme de semi-conducteurs composés à large bande interdite et à numéro atomique élevé pour les détecteurs de rayons X et gamma.

Parmi les semi-conducteurs composés, le tellurure de cadmium (CdTe) est l'un des matériaux les plus prometteurs pour les détecteurs de rayonnement, avec une bonne résolution énergétique, une efficacité de détection élevée et un fonctionnement à température ambiante.