Filmes minces TCO « n » et « p » pour des applications technologiques

ZnO et SnO2 obtenues Par la voie CVD et PVD pour la détection des polluants, radiations ultraviolettes et la jonction pn

Dans cet ouvrage, on discute en sa première partie les problèmes liés à l’intégration des mini fours en Fer/SiO2 (verre) dans le capteur à gaz (contraintes naissantes sur le verre suite au chauffage).

La deuxième partie concerne une nouvelle technique des micro-gouttes CVD pour l’élaboration des TCO.

Cette technique n’est opérationnelle qu’à partir d’une température critique des précurseurs de travail en lien étroit avec la tension superficielle au sens thermodynamique.

TCO obtenues par l’intermédiaire de cette technique se montrent couvertes par des traces poudreuses superficielles, résultat d’une réaction incomplète d’où une réponse modérée envers la vapeur du gaz d’Alcool.

Une troisième partie concernant l’influence des plasmas pulvérisateurs (Ar et N2/O2) sur les propriétés électriques, morphologiques et optiques des TCO.

Le plasma N2/O2 dope p les deux oxydes, cependant, le recuit renforce le type S/C p dans ZnO et le renverse dans SnO2 vers le type fondamental n.

Suite à quoi la jonction «pn» s’est imposée.

En raison de la forte résistivité des TCO, les caractéristiques I=f(V) ont subi une allure ohmique, mais la jonction sous éclairement se comporte comme une photopile.