Etude Expérimentale des Couches Minces de Trisulfure de Bismuth

Etude des propriétés structurales des couches minces de Bi2S3 élaborées par la technique de dépôt par bain chimique CBD

Les matériaux choisis pour l’application photovoltaïque doivent répondre à certains critères imposés par l’application visée, ils doivent avoir une bande interdite d’énergie adaptée au rayonnement solaire (1.1-1.8 eV), et un fort coefficient d’absorption optique (α>105 cm-1) dans la gamme de spectre solaire, afin de présenter une grande efficacité de conversion d’énergie.

Ainsi beaucoup de matériaux sont en voie d’émerger dans ce domaine, parmi ceux-ci nous citons les chalcogenures de métaux de transition.

Le trisulfure de bismuth Bi2S3 est un matériau semiconducteur faisant partie de cette famille, il présente des propriétés électronique, électrique et optique intéressantes pour les applications optoélectroniques notamment le domaine photovoltaïque.

La bande interdite du Bi2S3 est de nature directe et la valeur de sa largeur est Eg =1.66eV.

L’objectif de nôtre travail est double.

Tout d’abord, la mise au point de matériaux Semiconducteurs sous forme de couches minces, possédant les propriétés pré requises pour leurs utilisations comme couches absorbantes dans des cellules solaires.

Le second objectif est d’utiliser des techniques d'élaboration simples et peu coûteuses.