Investigation opto électronique des composés à base d'arsenic
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Investigation opto électronique des composés à base d'arsenic

FATIMA ZOHRA BOUFADI

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Un intérêt tout à fait particulier a,déjà été porté aux semi-conducteurs qui sont à la base de nombreuses technologies de pointé en électronique, aérospatiale et l'énergie solaire.

De ce fait, leur rôle dans les futurs industries ne cessera de prendre de plus en plus d'importance.

L'intérêt pratique des semi-conducteurs s'est encore considérablement renforcé par la possibilité de modéliser et réaliser de nouveaux composés par association d'éléments du tableau périodique susceptibles de s'accorder tels que les éléments de la IIIème colonne avec l'arsenic As.les composés III-As (InAs- AlAs- GaAs) sont les composés les plus utilisés dans la technologie des dispositifs opto-électroniques InAs a connu une grande importance pour son utilisation dans les dispositifs de longue longueur d'onde et à grande vitesse, il a une grande mobilité électronique.

AlAs a été largement utilisé comme matériau à barrière dans la modulation des hétéro-structures dopées et les puits quantiques d'un treillis hétéro jonctions appariés.

Format : Papier

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Quantité
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Diplôme des études supérieures en physique, mais toujours passionnée par la recherche et sur la lancée de la quête de la science et de la connaissance.

En 2011,j'ai décroché un poste d'enseignante-chercheur.

F.

Z.

Boufadi est née le 05/10/1978 à Saïda, Docteur en physique des matériaux, Maitre de Conférences à Université de Sidi Bel-Abbès Algérie.


Fiche technique

Auteur
FATIMA ZOHRA BOUFADI
Langue
Français
Éditeur
Éditions universitaires européennes
Année
2018
Pages
100
Pays
Algérie Algérie

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