Le silicium poreux

Application au gettering des impuretés dans le silicium et à la croissance des couches minces de silicium (CMSi) par RT-APCVD

Ce travail met en évidence l’importance du silicium poreux en présence de tétrachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuretés lors de la croissance et l’obtention de couches minces de très grande qualité.

La première partie est consacrée à une généralité sur les propriétés des couches minces de Si.

Dans la deuxième partie nous présentons les propriétés du silicium poreux (SP) et son effet de gettering.

L’effet de gettering par SP en présence du SiCl4 a été évalué par l’augmentation prononcée de la mobilité des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires.

Dans la troisième partie est présenté le montage utilisé, ainsi que les conditions d’élaboration des couches de silicium.

La dernière partie donne les résultats des caractérisations structurales et électriques des couches minces élaborées sur des substrats de SP.

Les résultats montrent que la mobilité des porteurs varie de 107 à 186 cm²V-1s-1 et est plus élevée que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD.