Etude Par FP-LAPW des alliages Pb1-xCaxM (M=S; Se; Te)
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Etude Par FP-LAPW des alliages Pb1-xCaxM (M=S; Se; Te)


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Nous avons étudié les propriétés optoélectroniques des chalcogénures de Plomb PbS, PbSe et PbTe et leurs alliages Pb1-xCaxS, Pb1-xCaxSe et Pb1-xCaxTe, en fonction de la variation de la concentration molaire x de Calcium).

La dépendance en composition des propriétés structurales et électroniques à savoir, le paramètre de maille le module de compressibilité le gap d'énergie, les propriétés thermodynamiques, les propriétés optiques et diélectriques tels que l‟indice de réfraction, le coefficient de réflexion, les constantes diélectriques statiques de tous les alliages binaires (PbS, PbSe, PbTe, CaS, CaSe et CaTe) et ternaire semi-conducteur Pb1-xCaxS, Pb1-xCaxSe et Pb1-xCaxTe ont été investi.

La déviation des paramètres de maille et des modules de compressibilité en fonction de la concentration en Calcium X par rapport à la loi de végard a été observée pour les trois alliages.

Cet écart la linéarité a été expliquée par des approches de Zunger et al.

Nous avons également étudié les propriétés thermodynamiques des trois alliages où nous avons pu déterminer la température critique .

Les indices de réfraction ainsi que les constantes diélectriques en fonction de la composition x.

Format : Papier

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Quantité
Disponible

Chahra Sifi est Docteur en Physique à l'université UBMA Algerie.

Elle est née à Annaba où elle a fait toutes ses études.

Elle a obtenu un baccalauréat en techniques mathématiques (1988), en suite un DES en Physique du solide (1992).En (2005), elle a commencé l’étude des propriétés physiques des matériaux par les methode FP-LAPW.


Fiche technique

Auteur
CHAHRA SIFI
Langue
Français
Marque
Omniscriptum
Année
2017
Pays
Algérie Algérie
Rated 5.00 on the scale 1 - 5 based on 1 customer reviews

Titre intéressant

Je felicite l'auteur, pour la qualité de son manuscript. Il est intéressant pour les chercheurs dans le domaine de l'optique, loptoelectronique, la simulation avec code wien 2k. Calcul de gap et DOS.

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